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CSD18532KCS相关型号

  • TPS5410D .

    直流-直流开关降压(逐步递减)稳压器, 可调, 5.5V-36V输入, 1.22V-31V输出, 1A输出, SOIC-8

  • TPS22965DSGT .

    电源负载开关, 高电平有效, 1路输出, 5.5V, 6A, WSON-8

  • TPS76918DBVR .

    芯片, 稳压器 LDO 单通道 1.8V

  • TPS60150DRVR.

    芯片, 直流/直流转换器, 升压, 1.5MHZ, 140mA, SON-8

  • TPS71525DCKR .

    固定电压稳压器, LDO, 3V至24V, 415mV压差, 2.5V输出, 50mA输出, SC-70-5

  • UCC2808D-2 .

    控制器, 电流模式控制器, PWM, 10V-0V电源, 1 MHz, 500mV/500mA输出, SOIC-8

  • TL431IPK .

    芯片, 并联稳压器

  • UC3845N .

    控制器, PWM, 25V-12V电源, 450 kHz, 13.5V/1A输出, DIP-8

TI(德州仪器)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • CSD18532KCS

  • 制造商：Texas Instruments
  • 批号：23+
  • 描述：通孔 N 通道 60 V 100A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商Texas Instruments
  • 系列NexFET?
  • 包装管件
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)100A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.2 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）53 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）4680 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）250W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • 封装/外壳TO-220-3

其它信息

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