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CSD25304W1015T相关型号

  • AM3354BZCZA100 .

    微处理器Sitara, AM335x系列, 32位, 128KB, 912mV至1.378V, 1GHz, BGA-324

  • TRF37C73EVM

    评估板, TRF37C73射频增益模块放大器, 断电引脚, 18dB, 1 MHz - 6 GHz

  • CC3200MODLAUNCHXL

    评估电路板, WiFi, SimpleLink™, Launchpad, CC3200

  • CC2530-CC2591EMK

    (受限产品), 评估套件, CC2530, CC2591, ZIGBEE

  • CC1200EMK-868-930 .

    开发套件, CC1200高性能射频收发器, 868 MHz - 930 MHz, 天线

  • CC31XXEMUBOOST .

    评估模块, WiFi, 高级仿真BoosterPack™, CC3100

  • LAUNCHXL-CC2640R2 .

    开发套件, SimpleLink™ 蓝牙低能 CC2640R2F 无线MCU LaunchPad

  • CC3100BOOST .

    评估模块, WiFi, 网络处理器BoosterPack™插入模块

TI(德州仪器)热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • CSD25304W1015T

  • 制造商：Texas Instruments
  • 批号：23+
  • 描述：表面贴装型 P 通道 20 V 3A（Ta） 750mW（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：5000+

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详细参数

  • 制造商Texas Instruments
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带（TR）
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）32.5 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.15V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）4.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）595 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）750mW（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-DSBGA（1x1.5）
  • 封装/外壳6-UFBGA，DSBGA

其它信息

专注元器件销售，正品保障。

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